硅單晶材料在受到外力作用產生微小應變時(般步于400微應變)，其內部原子結構的電子能狀態會發生變化，從而導致其電阻率劇烈變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現大變化，這種物理效應稱為壓阻效應。利用壓阻效應原理，采用集成工藝技術經過摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點晶向制成應變電阻，構成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈性力學特性，在同切硅材料上進行各向異性微加工，就制成了個集力敏與力電轉換檢測于體的擴散硅傳感器。給傳感器匹配放大電路及相關部件，使之輸出個標準信號，就組成了臺完整的擴散硅壓力變送器。當介質的壓力直接作用在傳感器的膜片上，使膜片產生與介質壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻發生變化，和用電子線路檢測這變化，并轉換輸出個對應于這個壓力的標準信號。